檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "Wen-Cheng Ke".eadvisor (精準) and ckeyword.raw="石墨烯"
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石墨烯是碳原子依六角形排列之二維材料,具有高電子遷移率、熱傳導度、機械特性與低片電阻等特性,相較於氧化銦錫,單層石墨烯在波長小於 280 nm下依舊維持>90 %之高穿透率,使其成為應用於深紫外光 …
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氮化鎵於矽基板上成長時，因晶格不匹配與熱膨脹係數差異引入應力，造成高密度差排缺陷，降低氮化鎵HEMT元件工作效能。本研究提出以石墨烯做為磊晶界面層，提升氮化鎵磊晶品質之方法。石墨烯是二維材料，垂直膜…
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近年來，第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件，然而高功率操作下元件廢熱堆積，會使元件特性衰退，傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…
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這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層（AlN BL），可以在少層石墨烯（FLG）/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長的低溫AlN…
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本篇論文呈現了氮化鋁緩衝層結構之於石墨烯/藍寶石基板上製備高品質氮化鎵薄膜的重要性。本文使用低壓化學氣相沉積法（LPCVD）在在藍寶石基板上成長石墨烯。首先會在兩吋藍寶石基板上蒸鍍一層銅膜以便於獲取…
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石墨烯是一種由碳原子組成的二維材料，為六角形的蜂巢結構。其具備低片電阻、高導熱率、機械性和高電子遷移率等特性，其中在紫外光波段下，單層石墨烯具有良好的穿透率，比起氧化銦錫(ITO)，更適合作為紫外光…
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目前LED基板使用為藍寶石基板，而氮化鎵與藍寶石基板間存在著高晶格不匹配度，致使氮化鎵薄膜內部產生 109~1010 cm2 之貫穿型差排缺陷，嚴重影響到後續 LED 元件光電性能。圖案藍寶石…